• 

  حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل SAMSUNG 870QVO با ظرفیت 8 ترابایت

  ۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال اپیسر مدل APACER AS2280 P4U PRO با ظرفیت 256 گیگابایت

  ۲,۳۸۰,۰۰۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال M.2 هایکسمی مدل HIKSEMI WAVE P ظرفیت 128 گیگابایت

  ۱,۲۳۵,۰۰۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• برای افزودن کالا به لیست مقایسه کلیک کنید افزودن کالا به مقایسه

موجود

• در انبار موجود نمی باشد
• 5 در انبار
• 3 در انبار

شناسه

• DC-1831179230
• DC-5978329691
• DC-9188685732

توضیحات

• حافظه SSD اینترنال اپیسر مدل APACER AS2280 P4U PRO با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت، یکی از گزینه‌های اقتصادی و مناسب برای ارتقا سرعت و کارآیی سیستم‌های دسکتاپ و لپ‌تاپ است. این SSD به دلیل تکنولوژی روز و رابط NVMe PCIe Gen3 x4، عملکردی فراتر از هاردهای سنتی و حتی SSDهای SATA ارائه می‌دهد و می‌تواند جان تازه‌ای به دستگاه‌های قدیمی و حتی جدید شما ببخشد.
• حافظه SSD اینترنال M.2 هایکسمی مدل HIKSEMI WAVE P محصولی از شرکت معتبر هایکسمی (HIKSEMI) است که برای کسانی که به دنبال ارتقاء سرعت و عملکرد سیستم خود هستند یک انتخاب عالی است. این نوع حافظه‌ها با بهره گیری از تکنولوژی M.2 و پروتکل NVMe، سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالاتری را نسبت به SSDهای SATA معمولی ارائه می‌دهند.

ابعاد

• 100 * 70 * 7 میلیمتر

• 80 * 22 * 3.75 میلیمتر

• 80.15 * 22.15 * 2.23 میلیمتر

وزن

• 86.18 گرم

• 30 گرم

برند

• سامسونگ (SAMSUNG)

• اپیسر (APASER)

• هایکسمی (HIKSEMI)

ظرفیت

• 8 ترابایت

• 256 گیگابایت

• 128 گیگابایت

رابط

• SATA III

• PCle

• PCI-Express 3.0

فرم فاکتور

• 2.5 اینچ

• M.2 NVMe 1.3

• M.2

کنترل کننده

• MKX

سرعت خواندن اطلاعات تصادفی

• Random (QD1) [IOPS]: 11,000, Random (QD32) [IOPS]: 98,000

• 55K

سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی

• Random (QD1) [IOPS]: 35,000, Random (QD32) [IOPS]: 88,000

• 225K

سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی

• Up to 560MB/s

• 3500 MB/s, 3500 مگابایت بر ثانیه

• تا 2500 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی

• Up to 530 MBps

• 3000 مگابایت بر ثانیه

• تا 1025 مگابایت بر ثانیه

مصرف برق

• 30 mW

• 2.2 وات

رنگ

• مشکی

• مشکی

گارانتی

• اصلی

• اصلی

ضد ضربه

• مقاوم در برابر ضربه

نوع فلش

• 3D NAND

میانگین عمر

• 1 و نیم میلیون ساعت

سایر قابلیت ها

• دمای کاری: 0-70 سانتی گراد / دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 سانتی گراد