• 

  حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل SAMSUNG 980 با ظرفیت 250 گیگابایت

  ۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال M.2 هایکسمی مدل HIKSEMI WAVE P ظرفیت 128 گیگابایت

  ۱,۲۳۵,۰۰۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال هایکسمی مدل HIKSEMI FUTURE LITE با ظرفیت 4096 گیگابایت

  ۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• برای افزودن کالا به لیست مقایسه کلیک کنید افزودن کالا به مقایسه

موجود

• در انبار موجود نمی باشد
• 3 در انبار
• در انبار موجود نمی باشد

شناسه

• DC-2774138221
• DC-9188685732
• DC-4641800100

توضیحات

• حافظه SSD اینترنال M.2 هایکسمی مدل HIKSEMI WAVE P محصولی از شرکت معتبر هایکسمی (HIKSEMI) است که برای کسانی که به دنبال ارتقاء سرعت و عملکرد سیستم خود هستند یک انتخاب عالی است. این نوع حافظه‌ها با بهره گیری از تکنولوژی M.2 و پروتکل NVMe، سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالاتری را نسبت به SSDهای SATA معمولی ارائه می‌دهند.
• حافظه SSD اینترنال هایکسمی مدل HIKSEMI FUTURE LITE یکی از محصولات شاخص در میان ذخیره‌سازهای مدرن است که توانسته با بهره‌گیری از فناوری‌های روز دنیا، رضایت کاربران را از جنبه‌های مختلف جلب کند. این حافظه اس اس دی، حاصل مهندسی دقیق شرکت HIKSEMI بوده که زیرمجموعه‌ای از برند بین‌المللی و معتبر هایک‌ویژن (HIKVISION) است و طی سالیان اخیر با محوریت ایجاد توازن میان کیفیت، قیمت و کارایی، محصولات خود را روانه بازار کرده است. HIKSEMI FUTURE LITE، با هدف پاسخگویی به نیاز کاربران امروزی، اعم از کاربران خانگی، گیمرها و حتی کاربران سازمانی به بازار عرضه شده و طیف وسیعی از رایانه‌های شخصی، لپ‌تاپ‌ها و مینی‌پی‌سی‌ها را پوشش می‌دهد.

گارانتی

• اصلی

• اصلی

• اصلی

وزن

• 9 گرم

• 30 گرم

• 30 گرم

برند

• سامسونگ (SAMSUNG)

• هایکسمی (HIKSEMI)

• هایکسمی (HIKSEMI)

ظرفیت

• 250 گیگابایت

• 128 گیگابایت

• 4096 گیگابایت

سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی

• 3000 مگابایت بر ثانیه

• تا 2500 مگابایت بر ثانیه

• تا 7100 مگابایت در ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی

• 3500 مگابایت بر ثانیه

• تا 1025 مگابایت بر ثانیه

• تا 6350 مگابایت در ثانیه

مصرف برق

• 4.6 وات

• 2.2 وات

• 4.9 وات

ابعاد

• 80.15 * 22.15 * 2.23 میلیمتر

• 80.15 * 22.15 * 2.23 میلیمتر

رنگ

• مشکی

• مشکی

رابط

• PCI-Express 3.0

• PCIe Gen4x4

فرم فاکتور

• M.2

• M.2 2280

نوع فلش

• 3D NAND

• 3D NAND

سرعت خواندن اطلاعات تصادفی

• 55K

• 875K

سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی

• 225K

• 480K

میانگین عمر

• 1 و نیم میلیون ساعت

• 2 میلیون ساعت

سایر قابلیت ها

• دمای کاری: 0-70 سانتی گراد / دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 سانتی گراد