• 

  حافظه SSD اکسترنال سامسونگ مدل SAMSUNG T7 با ظرفیت 2 ترابایت

  ۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال M.2 هایکسمی مدل HIKSEMI WAVE P ظرفیت 128 گیگابایت

  ۱,۲۳۵,۰۰۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال اپیسر مدل APASER AS350 PANTHER با ظرفیت 512 گیگابایت

  ۳,۲۳۰,۰۰۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  حافظه SSD اینترنال اپیسر مدل APACER AS350X با ظرفیت 1 ترابایت

  ۵,۴۵۰,۰۰۰ تومان مشاهده و خرید محصول ×

موجود

• 3 در انبار
• 5 در انبار
• 5 در انبار

شناسه

• DC-562755616
• DC-9188685732
• DC-7813691070
• DC-8002056964

توضیحات

• حافظه SSD اینترنال M.2 هایکسمی مدل HIKSEMI WAVE P محصولی از شرکت معتبر هایکسمی (HIKSEMI) است که برای کسانی که به دنبال ارتقاء سرعت و عملکرد سیستم خود هستند یک انتخاب عالی است. این نوع حافظه‌ها با بهره گیری از تکنولوژی M.2 و پروتکل NVMe، سرعت خواندن و نوشتن بسیار بالاتری را نسبت به SSDهای SATA معمولی ارائه می‌دهند.
• حافظه‌های SSD به یک بخش جدایی‌ناپذیر از سیستم‌های کامپیوتری تبدیل شده‌اند و به دلیل سرعت بالا و عملکرد قابل‌اعتماد خود، جایگزین مناسبی برای هارد دیسک‌های سنتی هستند. یکی از محصولات محبوب در این دسته، اپیسر مدل AS350 PANTHER است که به دلیل ویژگی‌ها و قیمت اقتصادی، توانسته توجه کاربران زیادی را به خود جلب کند. این حافظه برای کسانی که به دنبال ارتقاء سیستم خود با سرعت بالا هستند، انتخابی مناسب است.
• امروزه حافظه‌های SSD به‌دلیل سرعت بالا و عملکرد بهینه، جایگزین مناسبی برای هارد دیسک‌های سنتی شده‌اند. حافظه SSD اینترنال اپیسر مدل AS350X یکی از محصولات پرطرفدار در این زمینه است که با بهره‌گیری از فناوری‌های مدرن و طراحی مناسب، توانسته توجه کاربران خانگی، گیمرها و افراد حرفه‌ای را به خود جلب کند. این حافظه با هدف ارائه سرعت بالا، پایداری بیشتر و مصرف انرژی کمتر تولید شده است و امکانات مناسبی در برابر قیمت رقابتی خود ارائه می‌دهد.

وزن

• 58 گرم

• 30 گرم

رنگ

• آبی, خاکستری, قرمز

• مشکی

• مشکی

• مشکی

گارانتی

• اصلی

• اصلی

• اصلی

• اصلی

برند

• سامسونگ (SAMSUNG)

• هایکسمی (HIKSEMI)

• اپیسر (APASER)

• اپیسر (APASER)

ظرفیت

• 2 ترابایت

• 128 گیگابایت

• 512 گیگابایت

• 1 ترابایت

رابط

• USB 3.2

• PCI-Express 3.0

• SATA 3.0

• SATA 3.0

ضد شوک

• مقاوم در برابر شوک

سرعت خواندن اطلاعات تصادفی

• 1050 مگابایت بر ثانیه

• 55K

سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی

• 1000 مگابایت بر ثانیه

• 225K

• 30176 IOPS

میانگین عمر

• 2 میلیون ساعت

• 1 و نیم میلیون ساعت

• 1 و نیم میلیون ساعت

• 1 و نیم میلیون ساعت

ابعاد

• 80.15 * 22.15 * 2.23 میلیمتر

• 100 * 69 * 7 میلیمتر

• 100 * 70 * 7 میلیمتر

فرم فاکتور

• M.2

• 2.5 اینچ

• 2.5 اینچ

نوع فلش

• 3D NAND

• TLC

• 3D NAND

سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی

• تا 2500 مگابایت بر ثانیه

• تا 560 مگابایت بر ثانیه

• تا 560 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی

• تا 1025 مگابایت بر ثانیه

• تا 540 مگابایت بر ثانیه

• تا 540 مگابایت بر ثانیه

مصرف برق

• 2.2 وات

سایر قابلیت ها

• دمای کاری: 0-70 سانتی گراد / دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 سانتی گراد